Структура слоев:

Слой

Толщина, мкм

Концентрация носителей, cm-3 Мольная доля AlAs

p-GaAlAs(Ge)

15-20

>1.0.1018

0.10-0.30

p-GaAs(Ge,Si)

2.0-4.0

5.0.1017

0.00

n-GaAlAs(Te)

130-140

>2.0.1017

0.10-0.30

Геометрические размеры

Диск диаметром 37-50 мм

Параметры:

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро-
люминесценции

λp,[nm]±10 (±5)*

Мощность
излучения при 20мA
P0 [мВт]

Прямое
падение
напряжения
при 20 мА
Uf [В]

Обратное
падение
напряжения при 10 мкА
Ur [В] мин.

Время
отклика [нс]

мин.

типич.

типич.

макс.

Tr

Tf

DDH 910P

AlGaAs/
n-AlGaAs

910

3.0

3.5

 1.25

1.35

8

120

100


* по запросу потребителя