Структура слоев:

Слой

Толщина, мкм

Концентрация носителей, cm-3 Мольная доля AlAs

n-GaAlAs(Te)

12-15

>2.0.1018

0.6

p-GaAlAs(Zn)

2-3

>5.0.1017

0.28-0.30

p-GaAlAs(Zn)

120-140

>5.0.1017

0.6


Геометрические размеры:

Диск диаметром 37-40 мм

Параметры:

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро-
люминесценции

λp,[nm]±10 (±5)*

Мощность
излучения при 20мA
P0 [мВт]

Прямое
падение
напряжения
при 20 мА
Uf [В]

Обратное
падение
напряжения при 10 мкА
Ur [В] мин.

Время
отклика [нс]

мин.

типич.

типич.

макс.

Tr

Tf

DDH 680N

AlGaAs/
p-AlGaAs

680

3.0

3.5

1.7

1.75

>8

50

35

DDH 740N

AlGaAs/
p-AlGaAs

700

3.0

3.5

1.7

1.75

>8

50

35

*по требованию заказчика