Структура слоев
| Слой |
Толщина, мкм |
Концентрация носителей, см-3 |
Мольная доля AlAs |
|
n-GaAlAs(Te) |
15-18 |
>2.0.1018 |
0.60 |
|
p-GaAlAs(Zn) |
1.5-2.5 |
>5.0.1017 |
0.35 |
|
p-GaAlAs(Zn) |
130-150 |
>5.0.1017 |
0.65 |
Геометрические размеры
Диск диаметром 37-40 mm
Параметры
|
Тип |
Материал структуры/ |
Длина волны пика излучения |
Мощность |
Прямое |
Обратное падение напряжения при 10 мкА Ur [В] мин. |
Время отклика |
|||
|
мин. |
тип. |
тип. |
макс. |
Tr |
Tf |
||||
|
DDH 660N |
AlGaAs/ |
660 |
20 |
30 |
1.80 |
1.90 |
>8 |
50 |
35 |
* по требованию заказчика.